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I NTEGRATED C IRCUITS D IVISION
4.5 Mechanical Dimensions
4.5.1 IXD_630YI (5-Lead TO-263)
1.143 / 1.651
1.143 / 1.397
IXD_630
(0.045 / 0.065)
9.652 / 10.312
(0.3 8 0 / 0.406)
(0.045 / 0.055)
4.31 8 / 4.597
(0.170 / 0.1 8 1)
Recommended PCB Pattern
10.40
(0.409)
9.30
14.605 / 15. 8 75
(0.575 / 0.625)
1 2 3 4 5
8 .636 / 9.144
(0.340 / 0.360)
3.65
(0.144)
6.35
(0.366)
(0.250)
3.95
0o - 8 o
(0.156)
0.737 / 0. 88 9
(0.029 / 0.035)
1.70 BSC
(0.067 BSC)
2.2 8 6 / 2.794
1.70
(0.067)
1.00
(0.039)
(0.090 / 0.110)
6.223 MI N
(0.245 MI N )
0.000 / 0.305
6. 8 5 8 MI N
(0.000 / 0.012)
6
(0.270 MI N )
DIME N SIO N S
mm MI N / mm MAX
(inches MI N / inches / MAX)
N OTES:
1. All metal s u rfaces are solder-plated except trimmed area.
2. N o. 3 lead is connected to N o. 6 lead ( b ottom heat sink) internally.
4.5.2 IXD_630CI (5-Lead TO-220)
1.14 / 1.40
9.91 / 10.54
(0.390 / 0.415)
(0.045 / 0.055)
4.32 / 4. 8 3
(0.170 / 0.190)
7. 8 23
12.3 8 7
(0.30 8 )
14.73 / 15.75
(0.4 8 7)
11.94 / 12.95
(0.470 / 0.510)
(0.5 8 0 / 0.620)
8 .64 / 9.40
(0.340 / 0.370)
3
6.299
(0.24 8 )
1 2 3 4 5
6.502
(0.256)
25.27 / 26.54
(0.995 / 1.045)
0.64 / 1.02
(0.025 / 0.040)
DIME N SIO N S
mm MI N / mm MAX
(inches MI N / inches / MAX)
0.3 8 / 0.64
1.70 BSC
(0.015 / 0.025)
(0.067 BSC)
2.29 / 2.92
7.620
(0.300)
12.70 / 14.73
(0.50 / 0.5 8 )
N OTES:
1. This dra w ing w ill meet all dimensions req u irement of
JEDEC o u tlines TS-001AA and 5-lead v ersion TO-220AB.
2. Mo u nting hole diameter: 3.53 / 3.96 (0.139 / 0.156)
3. The metal ta b is connected to pin 3 (G N D).
(0.090 / 0.115)
Recommended Hole Pattern
Finished Hole Diameter = 1.45mm (0.057 in.)
1.70mm (0.067 in.)
R03
www.ixysic.com
11
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IXDN75N120 功能描述:IGBT 晶体管 75 Amps 1200V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDN75N120A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 120A I(C) | SOT-227B
IXDP20N60B 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDP20N60BD1 功能描述:IGBT 晶体管 20 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IXDP35N60B 功能描述:IGBT 晶体管 35 Amps 600V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube